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환경용어사전 하이테크 오염

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작성자 Master
댓글 0건 조회 4,558회 작성일 00-11-20 20:28

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반도체(IC)는 고순도 실리콘에 미량의 인 등의 불순물을 첨가, 그 표면에 미세한 전자 패턴을 지져붙여 회로를 만들어간다. 256킬로비트의 IC 칩에는 130 가지의 제조 공정이 있으며, 그중 30 정도가 세정공정이다. IC의 집적화가 진행되면 될수록 회로의 최소 패턴은 1메가 비트에서는 1미크론 정도로 적어진다. 최소 패턴 10분의 1 정도라도 불순물이 부착되면 제품으로서 합격할 수 없으므로 세정은 대단히 중요한 공정이 된다. 실리콘 웨하에서 유분이나 불순물을 제거하기 위해 트리클로로에틸렌, 1,1,1-트리클로로에탄, 테트라클로로에틸렌 등의 유기용제가 사용된다. 이러한 용제에는 발암성이나 간장, 신장에 대한 독성이 있다. 1981년에 미국 실리콘 바레에 있는 페어챠일드 사 주변에서 유기용제에 의한 지하수 오염이 발견되었다. 그 이후 실리콘 바레에서는 IBM을 비롯하여 65개 사의 지하수 오염이 판명되었다. 원인의 대부분은 용제 저장 탱크에서의 누출이라고 보고되었다. 1985년 1월, 캘리포니아 주 정부는 실리콘 바레 주변 주민의 3년간에 걸친 건강피해 조사결과를 발표하였다. 그에 의하면 식료수가 용제로 오염된 지구의 주민 중에서 선천 이상아 출생율, 유산 발생율은 대조 지구에 비교하여 2~3배나 높다는 것이 밝혀졌다. 일본에서도 1983년 12월에, 도시바(東芝) 전기 공장의 IC 세정소로부터 트리클로로에틸렌에 의한 지하수 오염이 발견되었다.